Аппарат напольный игольчатого РФ - MR-500

Фракционный рф-лифтинг с микроиглами воздействует на проблему с помощью импульса, который направлен на необходимую глубину, определяемую врачом и зависит от выбранной области на теле, толщины кожи и серьезности проблемы, тогда как, при обычном рф лифтинге лица, шеи и век прогревается вся поверхность кожи, где необходима аппаратная работа.
Используются манипула и специальная насадка для выполнения микропроколов.
Насадка производит двухканальную подачу радиочастотной энергии: термолифтинг и малоинвазивная абляция эпидермиса.

ПОКАЗАНИЯ К ПРИМЕНЕНИЮ MR-500:

• Омоложение кожи изнутри
• Укрепление кожного каркаса
• Лифтинг лица
• Удаление мелких и глубоких морщин
• Улучшение тургора кожи
• Эффективная профилактика акне, постакне, расширенных пор
• Удаление шрамов, рубцов, послеродовых растяжек
• Птоз кожи век, мягких тканей лица

ЭФФЕКТ ОТ ПРОЦЕДУРЫ

Эффект от воздействия фракционными радиочастотными микроиглами сравним с эффектом от процедур при работе с лазером, однако уровень повреждения и болевых ощущений значительно ниже, а реабилитационный период минимальный.

Фракционный RF лифтинг с микроиглами:
новейший революционный метод полного восстановления кожного каркаса;
эффект, сопоставимый с результатом применения лазерных технологий, но без боли, без длительного реабилитационного периода;
намного более устойчивый результат по сравнению с применением других методик.

ОСОБЕННОСТИ ФРАКЦИОННОГО РФ-ЛИФТИНГА :

Процедура показана для любого типа кожи
Комплексный подход к омоложению и исправлению дефектов кожи (пигмент, постакне, морщины, рубцы, стрии и т.д.)
Эффект сохраняется на длительный период
Процедура без возрастных и сезонных ограничений
Быстрый период реабилитации (1-3 дня)
Отсутствие гиперпигментации

Технические Характеристики:

Функции: Подтяжка лица, омоложение кожи, потеря веса, удаление морщин
Технология: RF + микро иглы
Области применения: Лицо и тело
Лицо и тело
Насадки на манипулы: 10 игл, 25 игл, 64 иглы
Толщина иглы: 0,3 мм
Глубина проникания:0,5-3,0 мм
Скорость: 0,2-0,4
Частота RF: 2 Гц +/-20%
Интенсивность: Уровень 0 ~ 100 (10 шагов)